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薄膜半导体材料制备系统

  • 超高真空多腔室物理气相沉积系统
超高真空多腔室物理气相沉积系统

超高真空多腔室物理气相沉积系统-吉祥棋牌官方正版

  • 极限真空:5e-10torr
  • 产品描述:超高真空多腔室物理气相沉积系统

高真空多腔室物理气相沉积系统(pvd)

该系统由全球专业的沉积设备商制造,配置多种沉积方式(预留各种功能接口),高度灵活,非常适合多种沉积模式的科研.

目前该系统的超高真空条件沉积模式(仅用机械泵 分子泵,极限真空可达5x10e-10torr)。多种组合沉积模式,同一腔体实现多种功能沉积方式,沉积源模式有:
磁控溅射源
电子束蒸发源
热蒸发源
该系统高度灵活,软件操作方便,专业为研究机构沉积超纯度薄膜,是真正的超高真空沉积系统。
技术参数:
极限真空: <5x 10e-10 torr(经过24小时烘烤冷却后);
镀膜均匀度:<3%
样品传送: 便捷安放上置衬底
机柜: 占用空间小结构;
样品台工作: 旋转, 加热, 加载偏压;
样品操作: 预抽真空室;
样品尺寸: 1”、 2”、 3”、 4” 、8”、12”等;
膜厚监控: 石英晶体微天平, 椭偏仪;
烘烤: 内置加热或外置保温加热;
简单方便 的全自动软件操作:全自动抽取真空并且程序自动运行。