语言选择: 中文版 ∷  英文版

薄膜半导体材料制备系统

  • 快速退火炉
快速退火炉

快速退火炉-吉祥棋牌官方正版

  • 产品描述:快速退火炉

产品简介:


     real rtp100型快速退火炉是韩国ultech公司的一款4寸片快速退火炉,采用革新的加热技术,可实现真正的基底温度测量,不需要采用传统快速退火炉的温度补偿,温度控制精确,温度重复性高,客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队,是半导体制程退火工艺的理想选择。

 

n 技术特色:

 

真正的基片温度测量,无需传统的温度补偿

红外卤素管灯加热

极其优异的加热温度精确性与均匀性

快速数字pid温度控制

不锈钢冷壁真空腔室

系统稳定性好

结构紧凑,小型桌面系统

带触摸屏的pc控制

兼容常压和真空环境,真空度标准值为5×10-3torr,采用二级分子泵真空度低至5×10-6torr

最高3路气体(mfc控制)

没有交叉污染,没有金属污染

 

n 技术介绍:

 

       如上图,由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面,样品被加热,传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度,由于热电偶与基片有一定距离,测量的不是基片真实的温度,必须进行温度补偿。

     real rtp100型快速退火炉采用专用的一根片状的real t/c kit进行测温,如上图,热电偶测温仪与片状real t/c kit相连,工作时片状real t/c kit位于样品上方很近的位置,阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面,样品被加热,片状real t/c kit同时被加热,由于基片与real t/c kit很近,它们之间也会进行热量传递,并很快达到热平衡,所以片状real t/c kit测量的温度就无限接近基片真实的温度,从而实现基片温度的真实测量。

 

n 主要技术参数:

 

基片尺寸:4英寸

基片基座:石英针(可选配sic涂层石墨)

温度范围:150-1250℃

加热速率:10-200℃/s

温度均匀性:≤±1.5% (@800℃, silicon wafer)

 ≤±1.0% (@800℃, substrate on sic coated graphite susceptor)

温度控制精度:≤ ±3℃

温度重复性:≤ ±3℃

真空度:5.0e-3 torr / 5.0e-6 torr

气路供应:标准1n2吹扫及冷却气路,由mfc控制(最多可选3路)

退火持续时间:[email protected]

温度控制:快速数字pid控制

尺寸:870mm*650mm*620mm

 

n基片类型:

 

silicon wafers硅片

compound semiconductor wafers化合物半导体基片

gan/sapphire wafers for leds 用于ledgan/蓝宝石基片

silicon carbide wafers碳化硅基片

poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片

glass substrates玻璃基片

metals金属

polymers聚合物

- graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座

n应用领域:

    离子注入/接触退火,快速热处理(rtp),快速退火(rta),快速热氧化(rto),快速热氮化(rtn),可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用,siau, sial, simo合金化,低介电材料,晶体化,致密化,太阳能电池片键合等。